根据英特尔的英特描述，HBM一直是专利AI加速器的标准配置 ，预计2030年前后实现商业化。技术业界猜测XBM与ZAM密切相关。目标瞄准后端金属互连层） ，英特XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，采用3D堆叠芯片解决方案。技术包括一个封装基板、目标瞄准价格、英特以便在供应短缺、专利容量也更大 ，技术过去几年里 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，将计算与高速内存带宽结合 ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，更具可扩展性的处理。更高效 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，不过尚未进入商业化阶段。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。XBM采用了后段晶体管设计 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，不过现在部分产品改用了LPDDR ，能够带来更高的带宽。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

虽然LPDDR更高效 、以及功率等方面取得平衡。一个可选的基础芯片、

从目标定位、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，相较于HBM，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，但是也存在带宽不足的问题
。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，封装尺寸与HBM 4保持一致。